物理学报2021，Vol.70Issue(17)：260-267,8.DOI:10.7498/aps.70.20202223
InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响
Effect of inserted InGaN layer on the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN
摘要
关键词
二维电子气浓度/界面粗糙度散射/随机偶极散射/极性光学声子散射引用本文复制引用
宋莉娜,吕燕伍..InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响[J].物理学报,2021,70(17):260-267,8.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60976070)资助的课题. （批准号:60976070）
