表面技术2021，Vol.50Issue(9)：134-140,7.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2021.09.013
基于硅靶和碳化硅靶的碳化硅薄膜磁控溅射工艺对比
Comparison of Magnetron Sputtering Process of Silicon Carbide Film Based on Silicon and Silicon Carbide Target
摘要
关键词
磁控溅射/碳化硅/沉积速率/表面粗糙度/反应气体分类
矿业与冶金引用本文复制引用
杨梦熊,惠迎雪..基于硅靶和碳化硅靶的碳化硅薄膜磁控溅射工艺对比[J].表面技术,2021,50(9):134-140,7.基金项目
国家重点研发计划-政府间科技创新合作重点专项(2018YFE0199200) （2018YFE0199200）
西安市科技创新引导项目(201805031YD9CG15) （201805031YD9CG15）
西安市科技计划项目(201805031YD9cG15(6)) （201805031YD9cG15(6）
