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Sn掺杂对SixSb100–x相变薄膜结晶行为的影响

杜玲玲 周细应 李晓 周文华 范志君

表面技术2021,Vol.50Issue(9):169-175,7.
表面技术2021,Vol.50Issue(9):169-175,7.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2021.09.017

Sn掺杂对SixSb100–x相变薄膜结晶行为的影响

Effects of Sn Doping on Crystallization Behavior of SixSb100–x Phase Change Films

杜玲玲 1周细应 1李晓 1周文华 1范志君1

作者信息

  • 1. 上海工程技术大学,上海 201620
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摘要

关键词

相变薄膜/电学特性/结晶温度/十年数据保持力/结晶行为/表面形貌

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

杜玲玲,周细应,李晓,周文华,范志君..Sn掺杂对SixSb100–x相变薄膜结晶行为的影响[J].表面技术,2021,50(9):169-175,7.

表面技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-3660

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