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半导体硅器件接触时粘着产生起因的原子尺度分析

张琦 陈晶晶 宋萌萌 马艳花

表面技术2021,Vol.50Issue(9):269-277,9.
表面技术2021,Vol.50Issue(9):269-277,9.DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2021.09.028

半导体硅器件接触时粘着产生起因的原子尺度分析

Original Analysis of Adhesion Produced for Semiconductor Silicon Device Based on Atomic Simulation

张琦 1陈晶晶 2宋萌萌 3马艳花3

作者信息

  • 1. 海南经贸职业技术学院 海南智能电网装备工程研究中心,海口 571127
  • 2. 海南经贸职业技术学院 机电与汽车工程学院,海口 571127
  • 3. 宁德师范学院 信息与机电工程学院,福建 宁德 352100
  • 折叠

摘要

关键词

温度响应/单晶硅/粘着/原子模拟/相变转化

分类

机械制造

引用本文复制引用

张琦,陈晶晶,宋萌萌,马艳花..半导体硅器件接触时粘着产生起因的原子尺度分析[J].表面技术,2021,50(9):269-277,9.

基金项目

海南省自然科学基金高层次人才项目(620RC667) (620RC667)

福建省自然科学基金(2020J01432) (2020J01432)

表面技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-3660

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