华中师范大学学报（自然科学版）2021，Vol.55Issue(4)：547-553,7.DOI:10.19603/j.cnki.1000-1190.2021.04.007
二维V型AlP半导体及其可调直接带隙
Two-dimensional V structure aluminum phosphide semiconductor and its tunable direct band gap
摘要
关键词
应力/电场/电子能带结构/稳定性/第一性原理计算分类
数理科学引用本文复制引用
毛彩霞,张玉萍,薛丽,杨旭鑫,胡永红,吴涛..二维V型AlP半导体及其可调直接带隙[J].华中师范大学学报（自然科学版）,2021,55(4):547-553,7.基金项目
咸宁市科技局科学技术研究与开发项目(XNKJ-28) （XNKJ-28）
湖北省教育厅研计划项目(B2020153) （B2020153）
湖北科技学院教学科研项目(2020-21X26 （）
2020-22GP01 （）
2019-XB-018 （）
2019-XA-007) （）
国家自然科学基金项目(11747044). （11747044）
