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GaAs衬底温度对液滴外延法生长In液滴的影响

黄泽琛 蒋冲 李耳士 李家伟 宋娟 王一 郭祥 罗子江 丁召

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(8)：1431-1437,7.
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人工晶体学报2021，Vol.50Issue(8)：1431-1437,7.

GaAs衬底温度对液滴外延法生长In液滴的影响

Effect of GaAs Substrate Temperature on Indium Droplets Grown by Droplet Epitaxy

黄泽琛 1蒋冲 2李耳士 3李家伟 1宋娟 2王一 3郭祥 1罗子江 2丁召3

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025
  • 2. 贵州大学微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025
  • 3. 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025
  • 折叠

摘要

关键词

GaAs/In液滴/液滴外延/衬底温度/团簇密度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄泽琛,蒋冲,李耳士,李家伟,宋娟,王一,郭祥,罗子江,丁召..GaAs衬底温度对液滴外延法生长In液滴的影响[J].人工晶体学报,2021,50(8):1431-1437,7.

基金项目

国家自然科学基金(61564002,11664005) （61564002,11664005）

贵州省科技计划(黔科合基础[2017]1055) （黔科合基础[2017]1055）

半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07)) （ERCME-KFJJ2019-(07）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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