人工晶体学报2021，Vol.50Issue(8)：1562-1574,13.
碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展
Research Progress on High-Purity SiC Powder for Single Crystal SiC Growth
罗昊 1张序清 2杨德仁 1皮孝东2
作者信息
- 1. 浙江大学,硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学院,杭州 310027
- 2. 浙江大学杭州国际科创中心,先进半导体研究院,杭州 311200
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摘要
关键词
单晶/高纯/SiC粉体/半导体/物理气相传输法分类
化学化工引用本文复制引用
罗昊,张序清,杨德仁,皮孝东..碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展[J].人工晶体学报,2021,50(8):1562-1574,13.
