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Si微/纳米带的制备与热电性能

魏江涛杨亮亮魏磊秦源浩宋培帅张明亮杨富华王晓东

物理学报2021，Vol.70Issue(18)：295-304,10.

物理学报2021，Vol.70Issue(18)：295-304,10.DOI:10.7498/aps.70.20210801

Si微/纳米带的制备与热电性能

Fabrication and thermoelectric properties of Si micro/nanobelts

魏江涛 ¹杨亮亮 ¹魏磊 ²秦源浩 ¹宋培帅 ²张明亮 ²杨富华 ¹王晓东¹

作者信息

1. 中国科学院半导体研究所, 半导体集成技术工程研究中心, 北京 100083
2. 中国科学院大学微电子学院, 材料与光电研究中心, 北京 100049
折叠

摘要

关键词

热电性能/悬空结构/热导率/边界散射

引用本文复制引用

魏江涛,杨亮亮,魏磊,秦源浩,宋培帅,张明亮,杨富华,王晓东..Si微/纳米带的制备与热电性能[J].物理学报,2021,70(18):295-304,10.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2019YFB1503602,2018YFB1107502)、中国科学院战略性先导科技专项(B类)(批准号:XDB 43020500)和中国科学院科研仪器设备研制项目(批准号:GJJSTD20200006)资助的课题. （批准号:2019YFB1503602,2018YFB1107502）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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