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原子层沉积的超薄InN强化量子点太阳能电池的界面输运

李晔郑新和王茜茜卫会云仇鹏何荧峰宋祎萌段彰申诚涛彭铭曾

物理学报2021，Vol.70Issue(18)：321-328,8.

物理学报2021，Vol.70Issue(18)：321-328,8.DOI:10.7498/aps.70.20210554

Enhancement of interface transportation for quantum dot solar cells using ultrathin InN by atomic layer deposition

李晔 ¹郑新和 ¹王茜茜 ¹卫会云 ¹仇鹏 ¹何荧峰 ¹宋祎萌 ¹段彰 ¹申诚涛 ¹彭铭曾¹

作者信息

InN/原子层沉积/填充因子/界面输运

李晔,郑新和,王茜茜,卫会云,仇鹏,何荧峰,宋祎萌,段彰,申诚涛,彭铭曾..原子层沉积的超薄InN强化量子点太阳能电池的界面输运[J].物理学报,2021,70(18):321-328,8.

国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700)、国家自然科学基金青年基金(批准号:52002021)和中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-TP-20-016A2)资助的课题. （批准号:2018YFA0703700）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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