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高压大容量MMC子模块下部IGBT损耗优化方法

许彬 李景波 宁志彦 王高勇 周军川 贺之渊

电网技术2021,Vol.45Issue(10):4025-4036,12.
电网技术2021,Vol.45Issue(10):4025-4036,12.DOI:10.13335/j.1000-3673.pst.2020.1891

高压大容量MMC子模块下部IGBT损耗优化方法

Loss Optimization for Bottom IGBT of Submodule in High-voltage and Large-capacity Modular Multilevel Converter

许彬 1李景波 2宁志彦 2王高勇 2周军川 1贺之渊1

作者信息

  • 1. 先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司),北京市 昌平区 102209
  • 2. 大功率电力电子北京市重点实验室,北京市 昌平区 102209
  • 折叠

摘要

关键词

模块化多电平换流器/功率半导体器件损耗/损耗优化方法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

许彬,李景波,宁志彦,王高勇,周军川,贺之渊..高压大容量MMC子模块下部IGBT损耗优化方法[J].电网技术,2021,45(10):4025-4036,12.

电网技术

OA北大核心CSCD

1000-3673

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