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寄生参数对并联SiC MOSFET电流不均衡的影响

张永刚 宁平凡 刘婕 王迪迪 肖宁如 李玉强

聊城大学学报（自然科学版）2021，Vol.34Issue(5)：8-14,7.
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聊城大学学报（自然科学版）2021，Vol.34Issue(5)：8-14,7.DOI:10.19728/j.issn1672-6634.2021.05.002

寄生参数对并联SiC MOSFET电流不均衡的影响

The Influence of Parasitic Parameters on Current Imbalance of Parallel SiC MOSFET

张永刚 1宁平凡 2刘婕 3王迪迪 1肖宁如 2李玉强3

作者信息

  • 1. 天津工业大学 电气工程与自动化学院,天津 300387
  • 2. 天津工业大学 电子与信息工程学院,天津 300387
  • 3. 天津工业大学 大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心,天津 300387
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摘要

关键词

寄生电感/寄生电容/并联SiC MOSFET/电流不均衡

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张永刚,宁平凡,刘婕,王迪迪,肖宁如,李玉强..寄生参数对并联SiC MOSFET电流不均衡的影响[J].聊城大学学报（自然科学版）,2021,34(5):8-14,7.

基金项目

国家自然科学基金项目(11804249) （11804249）

天津市教委科研计划项目(2018ZD15,2018KJ210)资助 （2018ZD15,2018KJ210）

聊城大学学报（自然科学版）

OACHSSCD

1672-6634

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