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大功率780nm半导体激光器的设计与制备

何林安 周坤 张亮 李弋 杜维川 胡耀 高松信 唐淳

强激光与粒子束2021，Vol.33Issue(9)：1-5,5.
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强激光与粒子束2021，Vol.33Issue(9)：1-5,5.DOI:10.11884/HPLPB202133.210099

大功率780nm半导体激光器的设计与制备

Fabrication of high-power semiconductor laser with wavelength-locked at 780 nm

何林安 1周坤 2张亮 1李弋 2杜维川 1胡耀 2高松信 1唐淳2

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院 高能激光科学与技术重点实验室,四川 绵阳 621900
  • 2. 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
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摘要

关键词

半导体激光器/腔面灾变损伤/光谱调控/ZnSe/外腔反馈

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

何林安,周坤,张亮,李弋,杜维川,胡耀,高松信,唐淳..大功率780nm半导体激光器的设计与制备[J].强激光与粒子束,2021,33(9):1-5,5.

基金项目

科技部重点研发项目(2018YFB1107302) （2018YFB1107302）

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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