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一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计

张瀚尊 贾嵩 杨建成 王源

北京大学学报(自然科学版)2021,Vol.57Issue(5):815-822,8.
北京大学学报(自然科学版)2021,Vol.57Issue(5):815-822,8.DOI:10.13209/j.0479-8023.2021.039

一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计

A Charge Recycling Scheme with Read and Write Assist for Low Power SRAM Design

张瀚尊 1贾嵩 2杨建成 1王源2

作者信息

  • 1. 北京大学微电子学研究所, 北京 100871
  • 2. 北京大学微电子器件与电路重点实验室, 北京 100871
  • 折叠

摘要

关键词

SRAM/位线电荷循环/读写辅助

引用本文复制引用

张瀚尊,贾嵩,杨建成,王源..一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计[J].北京大学学报(自然科学版),2021,57(5):815-822,8.

北京大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

0479-8023

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