|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电瓷避雷器|Gd2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电气性能的影响

Gd2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电气性能的影响

赵霞 温然 郭璊 李宇鹏 宋继光 郝留成 毛航银

电瓷避雷器Issue(5)：169-175,7.
✕
电瓷避雷器Issue(5)：169-175,7.DOI:10.16188/j.isa.1003-8337.2021.05.027

Gd2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电气性能的影响

Influence of Doping Gd2O3 on the Electrical Properties of ZnO Varistor

赵霞 1温然 1郭璊 1李宇鹏 2宋继光 1郝留成 3毛航银3

作者信息

  • 1. 中国电力科学研究院有限公司,北京100192
  • 2. 西安交通大学电气设备电力绝缘国家重点实验室,西安710049
  • 3. 平高集团有限公司,河南平顶山467000
  • 折叠

摘要

关键词

ZnO压敏电阻片/Gd2O3/电气性能/本征缺陷

引用本文复制引用

赵霞,温然,郭璊,李宇鹏,宋继光,郝留成,毛航银..Gd2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电气性能的影响[J].电瓷避雷器,2021,(5):169-175,7.

基金项目

国家电网有限公司科技项目"高性能氧化锌电阻片材料及生产制造技术"(编号:SGZJ0000KXJS1900180). （编号:SGZJ0000KXJS1900180）

电瓷避雷器

OA北大核心

1003-8337

访问量5
|
下载量0
段落导航相关论文