硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及其成像研究OA北大核心CSCD
Study on the Silicon Based Blocked-Impurity-Band Terahertz Detector and Its Application for Imaging
太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2K温度条件下,3.8V工作偏压时,探测器峰值响应率可达55A/W,响应频段覆盖6.7～60THz.此外,搭建了一套两维扫描成像系统,实现了高分辨率被动成像.实验结果表明,成像系统空间分辨率可达400μm、温度分辨率约为7.5mK.
王兵兵;王晓东;陈雨璐;张传胜;臧元章;潘鸣;曹俊诚
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室,上海200050中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049中国电子科技集团公司第五十研究所,上海200331中国电子科技集团公司第五十研究所,上海200331中国电子科技集团公司第五十研究所,上海200331中国电子科技集团公司第五十研究所,上海200331中国电子科技集团公司第五十研究所,上海200331
数理科学
阻挡杂质带太赫兹探测器峰值响应率扫描成像分辨率
《电子学报》 2021 (9)
石墨烯等离激元增强的Si基阻挡杂质带复合结构探测器研究
1867-1872,6
国家自然科学基金(No.61705201,No.61927813,No.61975225)国家重点研发计划(No.2017YFA0701005)上海市科学技术委员会(No.18590780100)
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