电子器件2021，Vol.44Issue(4)：802-805,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2021.04.007
基于GaAs pHEMT工艺的S波段高增益驱动放大器的设计研究
Design and Research of S-Band High Gain Drive Amplifier Based on GaAs pHEMT Process
摘要
关键词
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管/单片微波集成电路/共源共栅/双级放大/高增益分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
林倩,陈思维,邬海峰,胡单辉,陈依军,胡柳林..基于GaAs pHEMT工艺的S波段高增益驱动放大器的设计研究[J].电子器件,2021,44(4):802-805,4.基金项目
国家自然科学基金项目(61841110) （61841110）
2021年中科院西部之光青年学者项目(114) （114）
青海民族大学研究生创新项目 （）
