南京工业大学学报（自然科学版）2021，Vol.43Issue(5)：621-628,669,9.DOI:10.3969/j.issn.1671-7627.2021.05.011
电沉积铜箔CVD工艺生长缺陷可控少层石墨烯
Low-layer graphene with controllable defects growing on electrodeposited copper foils by CVD
摘要
关键词
电沉积/铜箔/石墨烯/化学气相沉积/缺陷/层数分类
能源科技引用本文复制引用
朱广奇,齐艳玲..电沉积铜箔CVD工艺生长缺陷可控少层石墨烯[J].南京工业大学学报（自然科学版）,2021,43(5):621-628,669,9.
