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20~26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器

江兰兰 陈宏尘 朱浩慎 冯文杰 车文荃 薛泉

南京信息工程大学学报2021,Vol.13Issue(4):413-419,7.
南京信息工程大学学报2021,Vol.13Issue(4):413-419,7.DOI:10.13878/j.cnki.jnuist.2021.04.004

20~26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器

A 20-26 GHz variable-gain low?noise amplifier using GaN?on?Si technology

江兰兰 1陈宏尘 1朱浩慎 2冯文杰 1车文荃 2薛泉2

作者信息

  • 1. 华南理工大学 电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室,广州,510641
  • 2. 琶洲实验室智能感知与无线传输中心,广州,510330
  • 折叠

摘要

关键词

GaN HEMT/微波单片集成电路/低噪声放大器/可变增益放大器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

江兰兰,陈宏尘,朱浩慎,冯文杰,车文荃,薛泉..20~26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器[J].南京信息工程大学学报,2021,13(4):413-419,7.

基金项目

国家重点研发计划(2018YFB1802002) (2018YFB1802002)

广东省"珠江人才计划"引进创新创业团队项目(2017ZT07X032) (2017ZT07X032)

南京信息工程大学学报

OA北大核心CSTPCD

1674-7070

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