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基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计

黄占秋 张旭 赵晨曦 康凯

南京信息工程大学学报2021,Vol.13Issue(4):425-430,6.
南京信息工程大学学报2021,Vol.13Issue(4):425-430,6.DOI:10.13878/j.cnki.jnuist.2021.04.006

基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计

Design of a W-band two?way current?combining power amplifier in 65?nm CMOS

黄占秋 1张旭 1赵晨曦 1康凯1

作者信息

  • 1. 电子科技大学 电子科学与工程学院,成都, 611731
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摘要

关键词

CMOS工艺/功率放大器/功率合成/W波段

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄占秋,张旭,赵晨曦,康凯..基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计[J].南京信息工程大学学报,2021,13(4):425-430,6.

基金项目

国家自然科学基金(61931007,62025106) (61931007,62025106)

国家重点研发计划(2020YFB1805003) (2020YFB1805003)

南京信息工程大学学报

OA北大核心CSTPCD

1674-7070

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