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24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关

曾丁元 朱浩慎 冯文杰 车文荃 薛泉

南京信息工程大学学报2021,Vol.13Issue(4):444-449,6.
南京信息工程大学学报2021,Vol.13Issue(4):444-449,6.DOI:10.13878/j.cnki.jnuist.2021.04.009

24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关

A 24-30 GHz GaN HEMT SPDT switch MMIC

曾丁元 1朱浩慎 1冯文杰 2车文荃 2薛泉3

作者信息

  • 1. 华南理工大学 电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室,广州,510641
  • 2. 琶洲实验室 智能感知与无线传输中心,广州,510330
  • 3. 南京理工大学 电子工程与光电技术学院,南京,210094
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摘要

关键词

GaN HEMT/单片微波集成电路/单刀双掷开关

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曾丁元,朱浩慎,冯文杰,车文荃,薛泉..24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关[J].南京信息工程大学学报,2021,13(4):444-449,6.

基金项目

国家重点研发计划(2018YFB1802002) (2018YFB1802002)

广东省"珠江人才计划"引进创新创业团队项目(2017ZT07X032) (2017ZT07X032)

南京信息工程大学学报

OA北大核心CSTPCD

1674-7070

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