南通大学学报（自然科学版）2021，Vol.20Issue(3)：82-87,6.DOI:10.12194/j.ntu.20200705001
终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响
Influence of Terminal Field Plate on Breakdown Voltage in GaN-Based Schottky Barrier Diode
摘要
关键词
场板结构/氮化镓/肖特基势垒二极管/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱友华,薛海峰,王美玉,李毅..终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响[J].南通大学学报（自然科学版）,2021,20(3):82-87,6.基金项目
国家自然科学基金面上项目(61874168) （61874168）
江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015B135) （PPZY2015B135）
江苏省产学研项目(BY2019114) （BY2019114）
