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溅射功率和溅射时间对Mg2Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响

廖杨芳 谢泉

人工晶体学报2021,Vol.50Issue(9):1675-1680,6.
人工晶体学报2021,Vol.50Issue(9):1675-1680,6.

溅射功率和溅射时间对Mg2Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响

Effects of Sputtering Power and Sputtering Time on the Structure and Resistivity of Mg2Si Nanocrystalline Thin Films

廖杨芳 1谢泉2

作者信息

  • 1. 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001
  • 2. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025
  • 折叠

摘要

关键词

Mg2Si/薄膜/射频磁控溅射/溅射功率/溅射时间/电阻率

分类

数理科学

引用本文复制引用

廖杨芳,谢泉..溅射功率和溅射时间对Mg2Si纳米晶薄膜结构和电阻率的影响[J].人工晶体学报,2021,50(9):1675-1680,6.

基金项目

贵州省科技计划(黔科合基础[2019]1225号) (黔科合基础[2019]1225号)

贵州师范大学资助博士科研项目(GZNUD[2018]15号) (GZNUD[2018]15号)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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