人工晶体学报2021，Vol.50Issue(9)：1780-1795,16.
基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延
Epitaxy of Wide Bandgap Semiconductors on Silicon Carbide Substrate
摘要
关键词
SiC衬底/宽禁带半导体/异质外延/同质外延/晶格失配/GaN/Ga2O3/缺陷调控分类
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开翠红,王蓉,杨德仁,皮孝东..基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延[J].人工晶体学报,2021,50(9):1780-1795,16.基金项目
国家重点研发计划(2017YFA0205704,2018YFB2200101) （2017YFA0205704,2018YFB2200101）
国家自然科学基金重大研究计划项目(91964107) （91964107）
国家自然科学基金面上项目(61774133) （61774133）
