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InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释

戴昊光 查访星 陈平平

物理学报2021，Vol.70Issue(19)：192-199,8.
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物理学报2021，Vol.70Issue(19)：192-199,8.DOI:10.7498/aps.70.20210419

InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释

Theoretical explanation of scanning tunneling spectrum of cleaved (110) surface of InGaAs

戴昊光 1查访星 1陈平平2

作者信息

  • 1. 上海大学物理系, 上海 200444
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
  • 折叠

摘要

关键词

半导体表面/扫描隧道显微镜/扫描隧道谱/针尖诱导能带弯曲

引用本文复制引用

戴昊光,查访星,陈平平..InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释[J].物理学报,2021,70(19):192-199,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61474073,61874069)资助的课题. （批准号:61474073,61874069）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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