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针对GaN器件的非对称双路同步谐振栅极驱动电路

高珊珊 王懿杰 刘怡宁 徐殿国

电工技术学报2021,Vol.36Issue(20):4185-4193,9.
电工技术学报2021,Vol.36Issue(20):4185-4193,9.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90138

针对GaN器件的非对称双路同步谐振栅极驱动电路

Resonant Gate Driver with Asymmetrical Voltage and Two Synchronous Drive Signals for GaN Switches

高珊珊 1王懿杰 1刘怡宁 1徐殿国1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学电气工程系 哈尔滨 150001
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摘要

关键词

氮化镓/谐振驱动电路/谐振电感/损耗分析

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高珊珊,王懿杰,刘怡宁,徐殿国..针对GaN器件的非对称双路同步谐振栅极驱动电路[J].电工技术学报,2021,36(20):4185-4193,9.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51777038). (51777038)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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