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Cascode GaN高电子迁移率晶体管高频驱动电路及损耗分析

岳改丽 向付伟 李忠

电工技术学报2021,Vol.36Issue(20):4194-4203,10.
电工技术学报2021,Vol.36Issue(20):4194-4203,10.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210243

Cascode GaN高电子迁移率晶体管高频驱动电路及损耗分析

High-Frequency Drive Circuit and Its Loss Analysis of Cascode GaN High Electron Mobility Transistor

岳改丽 1向付伟 1李忠1

作者信息

  • 1. 西安科技大学电气与控制工程学院 西安 710054
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摘要

关键词

Cascode GaN高电子迁移率晶体管/高频谐振/驱动电路/串扰抑制/低损耗

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

岳改丽,向付伟,李忠..Cascode GaN高电子迁移率晶体管高频驱动电路及损耗分析[J].电工技术学报,2021,36(20):4194-4203,10.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(51777167). (51777167)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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