电工技术学报2021，Vol.36Issue(20)：4204-4214,11.DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210260
基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计
SiC MOSFET Gate Driver Design Based on Interference Dynamic Response Mechanism
邵天骢 1郑琼林 1李志君 2李虹 1刘建强1
作者信息
- 1. 北京交通大学电气工程学院 北京 100044
- 2. 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 北京 100192
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摘要
关键词
SiC MOSFET/驱动设计/栅源电压干扰/动态响应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邵天骢,郑琼林,李志君,李虹,刘建强..基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计[J].电工技术学报,2021,36(20):4204-4214,11.
