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低气压介质阻挡放电条件下纳米SiO2表面氟化研究

杨国清 刘阳 戚相成 王德意 王闯 曾庆文

高电压技术2021,Vol.47Issue(9):3144-3152,9.
高电压技术2021,Vol.47Issue(9):3144-3152,9.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20200803

低气压介质阻挡放电条件下纳米SiO2表面氟化研究

Research on Surface Fluorination of Nanosilica by Dielectric Barrier Discharge Under Low Pressure

杨国清 1刘阳 2戚相成 2王德意 2王闯 1曾庆文2

作者信息

  • 1. 西安理工大学智慧能源重点实验室,西安710048
  • 2. 西安理工大学电气工程学院,西安710048
  • 折叠

摘要

关键词

低气压/介质阻挡放电/发射光谱诊断/纳米SiO2/表面氟化

引用本文复制引用

杨国清,刘阳,戚相成,王德意,王闯,曾庆文..低气压介质阻挡放电条件下纳米SiO2表面氟化研究[J].高电压技术,2021,47(9):3144-3152,9.

基金项目

国家自然科学基金(51707155) (51707155)

西北旱区生态水利工程国家重点实验室基金(2016ZZKT-12). (2016ZZKT-12)

高电压技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1003-6520

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