材料工程2021，Vol.49Issue(11)：98-104,7.DOI:10.11868/j.issn.1001-4381.2021.000132
反应磁控溅射法制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜的结构和透明导电性能
Structure and transparent conductive properties of F-doped ZnO(FZO)thin films prepared by reactive magnetron sputtering
摘要
关键词
复合靶材/反应溅射/FZO薄膜/透明导电性/禁带宽度分类
数理科学引用本文复制引用
祝柏林,郑思龙,谢挺,吴隽..反应磁控溅射法制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜的结构和透明导电性能[J].材料工程,2021,49(11):98-104,7.基金项目
高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金(SKL201110SIC) （SKL201110SIC）
