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低插入损耗的8 GHz~18 GHz CMOS无源延时线设计

张明 徐琴

电子器件2021,Vol.44Issue(5):1041-1046,6.
电子器件2021,Vol.44Issue(5):1041-1046,6.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2021.05.004

低插入损耗的8 GHz~18 GHz CMOS无源延时线设计

Design of 8 GHz-18 GHz CMOS Passive Delay Line with Low Insertion Loss

张明 1徐琴2

作者信息

  • 1. 成都职业技术学院软件学院,四川 成都610041
  • 2. 重庆邮电大学移通学院,重庆401520
  • 折叠

摘要

关键词

延时电路/无源延时线/二阶全通网络/低插入损耗/群延时

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张明,徐琴..低插入损耗的8 GHz~18 GHz CMOS无源延时线设计[J].电子器件,2021,44(5):1041-1046,6.

基金项目

重庆市教委科学技术研究项目(KJZD-K201902401) (KJZD-K201902401)

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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