计算机科学与探索2021，Vol.15Issue(11)：2116-2126,11.DOI:10.3778/j.issn.1673-9418.2011090
以双字线双阈值4T SRAM为基础的存内计算设计
Computing In-Memory Design Based on Double Word Line and Double Threshold 4T SRAM
摘要
关键词
存内计算(CIM)/BCAM/4T SRAM分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
蔺智挺,钮建超,吴秀龙,彭春雨..以双字线双阈值4T SRAM为基础的存内计算设计[J].计算机科学与探索,2021,15(11):2116-2126,11.基金项目
国家重点研发计划(2018YFB2202602) （2018YFB2202602）
国家自然科学基金重点项目(61934005) （61934005）
国家自然科学基金面上项目(62074001). （62074001）
