首页|期刊导航|物理学报|AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型

刘乃漳姚若河耿魁伟

物理学报2021，Vol.70Issue(21)：287-293,7.

物理学报2021，Vol.70Issue(21)：287-293,7.DOI:10.7498/aps.70.20210700

Gate capacitance model of AlGaN/GaN high electron mobility transistor

刘乃漳 ¹姚若河 ¹耿魁伟¹

作者信息

高电子迁移率晶体管/内部边缘电容/栅极电容/模型

刘乃漳,姚若河,耿魁伟..AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型[J].物理学报,2021,70(21):287-293,7.

国家重点研发计划(批准号:2018YFB1802100)和广东省重点领域研发计划(批准号:2019B010143003)资助的课题. （批准号:2018YFB1802100）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

访问量0

下载量0

段落导航