|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型

纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型

芦宾 王大为 陈宇雷 崔艳 苗渊浩 董林鹏

物理学报2021，Vol.70Issue(21)：336-343,8.
✕
物理学报2021，Vol.70Issue(21)：336-343,8.DOI:10.7498/aps.70.20211128

纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型

Capacitance model for nanowire gate-all-around tunneling field-effect-transistors

芦宾 1王大为 1陈宇雷 1崔艳 1苗渊浩 2董林鹏3

作者信息

  • 1. 山西师范大学物理与信息工程学院,临汾 041004
  • 2. 中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029
  • 3. 西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安 710032
  • 折叠

摘要

关键词

隧穿场效应晶体管/带带隧穿/纳米线/电容模型

引用本文复制引用

芦宾,王大为,陈宇雷,崔艳,苗渊浩,董林鹏..纳米线环栅隧穿场效应晶体管的电容模型[J].物理学报,2021,70(21):336-343,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:62004119)和山西省应用基础研究计划(批准号:201901D211400)资助的课题. （批准号:62004119）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文