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纳米SRAM质子单粒子翻转错误率预估

赵雯 陈伟 王忠明 罗尹虹 沈忱 赵军

现代应用物理2021,Vol.12Issue(3):103-111,9.
现代应用物理2021,Vol.12Issue(3):103-111,9.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.030601

纳米SRAM质子单粒子翻转错误率预估

Prediction of Proton Induced Single Event Upset Error Rates in Nanometer SRAMs

赵雯 1陈伟 2王忠明 1罗尹虹 2沈忱 1赵军2

作者信息

  • 1. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024
  • 2. 西北核技术研究所,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

质子/单粒子翻转/预估/核反应/直接电离/SRAM

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵雯,陈伟,王忠明,罗尹虹,沈忱,赵军..纳米SRAM质子单粒子翻转错误率预估[J].现代应用物理,2021,12(3):103-111,9.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11690043 ()

11690040) ()

国家科技重大专项资助项目(2014ZX01022-301) (2014ZX01022-301)

现代应用物理

OACSTPCD

2095-6223

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