现代应用物理2021，Vol.12Issue(3)：126-130,139,6.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.030604
CMOS图像传感器西安200 MeV质子应用装置H-辐照效应实验研究
H-Beams Irradiation Effect of CMOS Image Sensor at Xi'an 200 MeV Proton Application Facility
摘要
关键词
CMOS图像传感器/辐照效应/位移损伤/电离损伤/损伤机理分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王祖军,王百川,王忠明,薛院院,刘卧龙,陈伟,王迪,焦仟丽,贾同轩,杨业,王茂成..CMOS图像传感器西安200 MeV质子应用装置H-辐照效应实验研究[J].现代应用物理,2021,12(3):126-130,139,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11875223 （）
11805155) （）
国家科技重大专项资助项目(2014ZX01022-301) （2014ZX01022-301）
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1803 （）
SKLIPR1903Z （）
SKLIPR2012) （）
