质子辐照下4T CMOS图像传感器满阱容量退化模拟研究OACSTPCD
Simulation of Full Well Capacity Degradation of 4T CMOS Image Sensor Irradiated by Proton
以4T CMOS有源像素图像传感器为研究对象,开展了 10 MeV不同注量质子辐照导致图像传感器满阱容量性能退化模拟研究,建立了 CMOS图像传感器结构模型和质子辐照模型;结合满阱容量计算模型,分析了不同注量质子辐照对光电二极管(PPD)电容、TG沟道势垒及浮置节点(FD)与衬底形成的耗尽层的影响,揭示了辐照诱导满阱容量退化机理;在CMOS图像传感器结构设计基础上,提出了抗辐射设计方案.研究结果表明,质子辐照在氧化层中引入大量的氧化物陷阱电荷和界…查看全部>>
杨勰;王祖军;尚爱国;霍勇刚;薛院院;贾同轩;焦仟丽
西安高科技研究所,西安710025强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024西安高科技研究所,西安710025西安高科技研究所,西安710025强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭411105湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭411105
信息技术与安全科学
4T CMOS图像传感器质子辐照模拟满阱容量抗辐射设计
《现代应用物理》 2021 (3)
131-139,9
国家自然科学基金资助项目(1187522311805155)国家科技重大专项资助项目(2014ZX01022-301)强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1803SKLIPR1903ZSKLIPR2012)
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