现代应用物理2021，Vol.12Issue(3)：131-139,9.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.2021.030605
质子辐照下4T CMOS图像传感器满阱容量退化模拟研究
Simulation of Full Well Capacity Degradation of 4T CMOS Image Sensor Irradiated by Proton
摘要
关键词
4T CMOS图像传感器/质子辐照模拟/满阱容量/抗辐射设计分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨勰,王祖军,尚爱国,霍勇刚,薛院院,贾同轩,焦仟丽..质子辐照下4T CMOS图像传感器满阱容量退化模拟研究[J].现代应用物理,2021,12(3):131-139,9.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11875223 （）
11805155) （）
国家科技重大专项资助项目(2014ZX01022-301) （2014ZX01022-301）
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1803 （）
SKLIPR1903Z （）
SKLIPR2012) （）
