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Si3N4陶瓷材料晶界特征分布研究

赵明亮 陈松 孙峰 张晶 林燕 张伟儒 王卫国

物理学报2021，Vol.70Issue(22)：248-259,12.
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物理学报2021，Vol.70Issue(22)：248-259,12.DOI:10.7498/aps.70.20210233

Si3N4陶瓷材料晶界特征分布研究

Grain boundary character distributions in Si3N4 ceramics

赵明亮 1陈松 1孙峰 2张晶 2林燕 1张伟儒 2王卫国3

作者信息

  • 1. 福建工程学院材料科学与工程学院,福州 350118
  • 2. 中材高新氮化物陶瓷有限公司,淄博 255022
  • 3. 中材高新材料股份有限公司,北京 100021
  • 折叠

摘要

关键词

氮化硅陶瓷/电子背散射衍射/晶界特征分布/晶界界面匹配

引用本文复制引用

赵明亮,陈松,孙峰,张晶,林燕,张伟儒,王卫国..Si3N4陶瓷材料晶界特征分布研究[J].物理学报,2021,70(22):248-259,12.

基金项目

中央引导地方科技发展专项(批准号:2019L3010)资助的课题. （批准号:2019L3010）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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