桂林电子科技大学学报2021，Vol.41Issue(4)：259-265,7.
一种具有极化调制层的AlGaN/GaN HEMT结构
A AlGaN/GaN HEMT structure with polarization modulation layer
摘要
关键词
AlGaN/GaNHEMT/极化掺杂/击穿电压/比导通电阻/FOM分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
代一丹,陈永和,田雨,马旺,刘子玉..一种具有极化调制层的AlGaN/GaN HEMT结构[J].桂林电子科技大学学报,2021,41(4):259-265,7.基金项目
国家自然科学基金(6216030144) （6216030144）
广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025) （2018GXNSFAA138025）
桂林电子科技大学研究生教育创新计划(桂科AD18281037) （桂科AD18281037）
