桂林电子科技大学学报2021，Vol.41Issue(4)：266-272,7.
具有均匀凹槽势垒结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
Transverse AlGaN/GaN high electron mobility transistors with uniform grooves barrier structures
摘要
关键词
AlGaN/GaN/凹槽势垒/电场,击穿分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
田雨,陈永和,代一丹,刘子玉,马旺..具有均匀凹槽势垒结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管[J].桂林电子科技大学学报,2021,41(4):266-272,7.基金项目
国家自然科学基金(6216030144) （6216030144）
广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025) （2018GXNSFAA138025）
桂林电子科技大学研究生教育创新计划(桂科AD18281037) （桂科AD18281037）
