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第四代半导体锑化物低维结构中红外激光器:从原理到器件

牛智川 徐应强 张宇 杨成奥 陈益航 王天放 余红光 石建美

科技纵览Issue(10):74-77,4.
科技纵览Issue(10):74-77,4.

第四代半导体锑化物低维结构中红外激光器:从原理到器件

牛智川 1徐应强 1张宇 1杨成奥 1陈益航 1王天放 1余红光 1石建美1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所
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摘要

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牛智川,徐应强,张宇,杨成奥,陈益航,王天放,余红光,石建美..第四代半导体锑化物低维结构中红外激光器:从原理到器件[J].科技纵览,2021,(10):74-77,4.

基金项目

感谢国家自然科学基金重大项目"锑化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术"(项目编号:61790580)的支持. (项目编号:61790580)

科技纵览

2095-4409

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