人工晶体学报2021，Vol.50Issue(11)：1995-2012,18.
超宽禁带半导体β-Ga2O3相关研究进展
Research Progress of Ultra-Wide Bandgap Semiconductor β-Ga2O3
王新月 1张胜男 2霍晓青 1周金杰 2王健 1程红娟2
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
- 2. 中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津 300220
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摘要
关键词
氧化镓/晶体生长/外延/功率器件/浮区法/导模法超宽禁带半导体分类
数理科学引用本文复制引用
王新月,张胜男,霍晓青,周金杰,王健,程红娟..超宽禁带半导体β-Ga2O3相关研究进展[J].人工晶体学报,2021,50(11):1995-2012,18.
