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氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响

刘晓晨 郁鑫鑫 葛新岗 姜龙 李义锋 安晓明 郭辉

人工晶体学报2021，Vol.50Issue(11)：2045-2052,8.
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人工晶体学报2021，Vol.50Issue(11)：2045-2052,8.

氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响

Effect of Nitrogen Doping on the Perfomances of the Hydrogen Terminated Diamond RF Transistors

刘晓晨 1郁鑫鑫 2葛新岗 3姜龙 4李义锋 1安晓明 2郭辉1

作者信息

  • 1. 河北省激光研究所,石家庄 050081
  • 2. 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司,石家庄 050081
  • 3. 南京电子器件研究所,微波毫米波单片和模块电路重点实验室,南京 210016
  • 4. 南京大学电子科学与工程学院,南京 210093
  • 折叠

摘要

关键词

氮含量/微波等离子体化学气相沉积/晶体质量/氢终端金刚石/沟道载流子迁移率/电流崩塌/金刚石射频器件/频率特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘晓晨,郁鑫鑫,葛新岗,姜龙,李义锋,安晓明,郭辉..氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响[J].人工晶体学报,2021,50(11):2045-2052,8.

基金项目

河北省科技计划(18121015C) （18121015C）

河北省自然科学基金(E2019302005) （E2019302005）

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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