首页|期刊导航|中国电力|1200V SiC MOSFET参数分散性对并联均流的影响分析

1200V SiC MOSFET参数分散性对并联均流的影响分析

吴沛飞汤广福杨霏杜泽晨

中国电力2021，Vol.54Issue(12)：73-80,8.

中国电力2021，Vol.54Issue(12)：73-80,8.DOI:10.11930/j.issn.1004-9649.202111031

Influence of the Parameter Dispersion of Domestic 1200 V SiC MOSFET on Parallel Current Sharing

吴沛飞 ¹汤广福 ¹杨霏 ¹杜泽晨¹

作者信息

SiC MOSFET/分散性/偏离度/变异系数/并联均流

吴沛飞,汤广福,杨霏,杜泽晨..1200V SiC MOSFET参数分散性对并联均流的影响分析[J].中国电力,2021,54(12):73-80,8.

国家电网有限公司科技项目(碳化硅MOSFET沟道自对准工艺研究,5455GB190011). （碳化硅MOSFET沟道自对准工艺研究,5455GB190011）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1004-9649

访问量0

下载量0

段落导航