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电镀法制备富集112Cd靶

高靖 夏灵厅 胡映江 李飞泽 兰图 杨吉军 廖家莉 刘宁 杨远友

同位素2021，Vol.34Issue(6)：503-508,6.
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同位素2021，Vol.34Issue(6)：503-508,6.DOI:10.7538∕tws.2021.34.06.0503

电镀法制备富集112Cd靶

Preparation of Enriched 112Cd Target by Electroplating

高靖 1夏灵厅 1胡映江 1李飞泽 1兰图 1杨吉军 1廖家莉 1刘宁 1杨远友1

作者信息

  • 1. 四川大学 原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064
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摘要

关键词

富集112Cd靶/电沉积/靶厚/产额

分类

能源科技

引用本文复制引用

高靖,夏灵厅,胡映江,李飞泽,兰图,杨吉军,廖家莉,刘宁,杨远友..电镀法制备富集112Cd靶[J].同位素,2021,34(6):503-508,6.

基金项目

四川省重大科技专项(2019ZDZX0004) （2019ZDZX0004）

中央高校基本科研业务专项资金资助项目 （）

同位素

OACSTPCD

1000-7512

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