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级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理

钱乐 李胜 张弛 刘斯扬 孙伟锋

东南大学学报（自然科学版）2021，Vol.51Issue(6)：1103-1108,6.
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东南大学学报（自然科学版）2021，Vol.51Issue(6)：1103-1108,6.DOI:10.3969/j.issn.1001-0505.2021.06.024

级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理

UIS reliability mechanism of cascode GaN HEMT

钱乐 1李胜 1张弛 1刘斯扬 1孙伟锋1

作者信息

  • 1. 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096
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摘要

关键词

级联型氮化镓HEMT/UIS/失效/退化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

钱乐,李胜,张弛,刘斯扬,孙伟锋..级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理[J].东南大学学报（自然科学版）,2021,51(6):1103-1108,6.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2020YFF0218501)、江苏省科技成果转化基金资助项目(BA2020027)、江苏省成果转化项目(BA2020030). （2020YFF0218501）

东南大学学报（自然科学版）

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-0505

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