液晶与显示2021，Vol.36Issue(12)：1623-1629,7.DOI:10.37188/CJLCD.2021-0211
氧氩比对Ta2O5栅介质薄膜晶体管电学性能的影响
Effect of oxygen to argon ratio on the electrical performance of Ta2O5 gate dielectric thin film transistor
摘要
关键词
Ta2O5栅介质/薄膜晶体管/磁控溅射/氧氩比分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王超,刘芙男,杨帆,张含悦,杨小天..氧氩比对Ta2O5栅介质薄膜晶体管电学性能的影响[J].液晶与显示,2021,36(12):1623-1629,7.基金项目
中央引导地方科技发展资金吉林省基础研究专项(No.202002012JC) （No.202002012JC）
吉林省科技发展计划(No.20200201177JC) （No.20200201177JC）
吉林省教育厅科学技术研究项目(No.JJKH20210256KJ,No.JJKH20210277KJ,No.JJKH20210276KJ) （No.JJKH20210256KJ,No.JJKH20210277KJ,No.JJKH20210276KJ）
