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采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb

尤明慧祝煊宇李雪李士军刘国军

红外与毫米波学报2021，Vol.40Issue(6)：725-731,7.

红外与毫米波学报2021，Vol.40Issue(6)：725-731,7.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2021.06.004

采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb

Growth of GaSb on GaAs substrate by Interfacial Misfit arrays

尤明慧 ¹祝煊宇 ²李雪 ¹李士军 ¹刘国军²

作者信息

1. 吉林农业大学信息技术学院,吉林长春130118
2. 梧州学院广西机器视觉与智能控制重点实验室,广西梧州543002
折叠

摘要

关键词

分子束外延/界面失配阵列/等效原子通量比/过渡层

分类

数理科学

引用本文复制引用

尤明慧,祝煊宇,李雪,李士军,刘国军..采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb[J].红外与毫米波学报,2021,40(6):725-731,7.

基金项目

海南省重点研发计划项目(ZDYF2020020),吉林省国家外国专家局引才引智项目(L2020028,L2021008,L2021009,LY202115),国家自然科学基金(61774025),吉林省科技发展计划(20190201181JC),广西机器视觉与智能控制重点实验室培育建设(厅市会商)项目(GKAD20297148) （ZDYF2020020）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-9014

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