人工晶体学报2021，Vol.50Issue(12)：2219-2224,6.
SiC衬底上β-Ga2O3薄膜生长及p-SiC/n-β-Ga2O3异质结光伏特性
β-Ga2 O3 Films Growth on SiC Substrate and p-SiC/n-β-Ga2 O3 Heterojunction Photovoltaic Properties
摘要
关键词
β-Ga2O3/4H-SiC衬底/脉冲激光沉积/生长温度/异质结太阳能电池/光电转换效率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
罗建仁,王相虎,樊天曜,金嘉妮,张如林..SiC衬底上β-Ga2O3薄膜生长及p-SiC/n-β-Ga2O3异质结光伏特性[J].人工晶体学报,2021,50(12):2219-2224,6.基金项目
国家自然科学基金(10804071,51671125) （10804071,51671125）
上海市自然科学基金(19ZR1420100) （19ZR1420100）
认知无线电与信息处理省部共建教育部重点实验室(桂林电子科技大学)开放课题(CRKL180205) （桂林电子科技大学）
