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硅基Ⅳ族SiGeSn三元合金晶格结构、电子结构和光学性质的第一性原理

孙生柳 黄文奇 张立鑫 谌珍雨 王浩

人工晶体学报2021,Vol.50Issue(12):2232-2239,2254,9.
人工晶体学报2021,Vol.50Issue(12):2232-2239,2254,9.

硅基Ⅳ族SiGeSn三元合金晶格结构、电子结构和光学性质的第一性原理

First-Principles Study on Lattice Structure, Electronic Structure and Optical Properties of Group-Ⅳ SiGeSn Ternary Alloy

孙生柳 1黄文奇 2张立鑫 1谌珍雨 2王浩1

作者信息

  • 1. 北京信息科技大学,北京材料基因工程高精尖创新中心,北京 100101
  • 2. 北京信息科技大学理学院,北京 100101
  • 折叠

摘要

关键词

SiGeSn三元合金/晶格结构/电子结构/光学性质/第一性原理计算

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

孙生柳,黄文奇,张立鑫,谌珍雨,王浩..硅基Ⅳ族SiGeSn三元合金晶格结构、电子结构和光学性质的第一性原理[J].人工晶体学报,2021,50(12):2232-2239,2254,9.

基金项目

国家自然科学基金青年科学基金(11604016) (11604016)

北京市青年拔尖人才培育计划(CIT&TCD201804059) (CIT&TCD201804059)

北京信息科技大学2020年度促进内涵发展科研水平提高项目(2020KYNH222) (2020KYNH222)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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