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SiC MOSFET功率器件标准研究

高伟 赵璐冰

标准科学Issue(12)：79-84,6.
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标准科学Issue(12)：79-84,6.DOI:10.3969/j.issn.1674-5698.2021.12.011

SiC MOSFET功率器件标准研究

Study on Standard for SiC MOSFET Power Device

高伟 1赵璐冰1

作者信息

  • 1. 第三代半导体产业技术创新战略联盟
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/碳化硅/功率开关器件/团体标准/第三代半导体

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高伟,赵璐冰..SiC MOSFET功率器件标准研究[J].标准科学,2021,(12):79-84,6.

标准科学

1674-5698

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